霍加尔（Hogar）在北京大学物理学系（Li Kaihui）的研究团队及其合作者的研究团队中，霍加尔（Hogar）于7月19日提出了一项新的战略，以准备“固体固体”材料。 The reports show excellent electrical properties, achieving a very high mobility and a subcoldio oscillation near Boltzmann's limit of the transistor matrix, the Ultra Short channel (less than 10 nm) devices, its key parameters (operating voltage, door length, discharge barrier (dibl), general interior indoor competition range), drainage bands, currently 3 nanometers, current node On July 18, 2025, the related results以“印度硒化晶体综合电子产品”为名在线上发表。在本文中，Avant -Garde应用程序，例如人工智能（AI）和物联网（IoT）提出了计算机功率增长的需求，因此传统的基于硅的晶体管技术HES在10纳米以下的过程节点的物理限制，严重限制了性能，能源效率和整合的连续芯片的改善。因此，迫切需要开发半导体通道的新材料，以打破基于硅的技术的瓶颈并支持下一个综合电路的持续发展。 2D原子厚度半导体材料由于其超薄厚度和出色的电性能引起了广泛的关注。但是，由于其固有的物理特性（例如相对较大的电子质量，最低的热速速度等）和可控的技术困难，因此当前传统的传统两维材料Wafersivos wafersivos nectegnos a Gran escala sisgala sigue signdifícildigigualar digualar con Dispositivos sofistivos sofisticistissisofisticasissisofistiss basados basados basados en silicic silicic silicic silicic silicic silicic。在许多候选材料中，印度硒化（INSE）被普遍认为是强大的竞争者由于其出色的特性，例如电子的有效质量，高速和足够的频带，因此破坏了硅的极限。 tambiénha sido elogiado como un“半导体” por el Ganador del Premio诺贝尔，El Profesor Andre Geim。 INSE的理论性能不仅明显优于硅，而且超过了典型的2D半导体材料，例如MOS2和WS2。实际，非事项verificado en un dispositivoprototipoestáahí。但是，很长一段时间以来，尚未解决晶圆综合制造水平的“瓶颈”问题，并且已成为阻碍应用程序的重要问题。实际，Las Muestras Inse de Alta质量主要是通过机械剥离而获得的。有限的数量和生产量远不符合支持综合电路制造所需的晶圆水平和质量标准，并且仅限于实验室研究。目前，晶圆级的Inse电影可以基于薄膜沉积技术生长，例如金属有机化学（MOCVD）的沉积和分子束（MBE）的外延，但是它们的晶体质量和电性能仍然不足稳定的热力学相（Inse，Inse，In4Se3，In4Se3，In4Se3，In4Se3，In6Se7等）。非常小的化学计量偏差可以引起相变的变化，从而导致相位纯度降低，并且在高温下，印度人和硒之间的蒸汽压力差异高达七个数量级，严重阻碍了玻璃质量的质量改善的元素平衡。因此，实现纯阶段的高质量INSE晶圆是促进基于设备的应用的关键。 ▲图1。制定一种新的“固体”生长策略，以在晶圆水平上准备高质量的晶体膜。为了应对以前的挑战，研究团队创新了"solid" solid "" solid "" solid "semiconductor preparation strategy, successfully conquering the key problems of the pure phase and the high quality preparation of the Inse materials at the wafer level. Specifically, the researchers first deposited an amorphous film in a sapphire substrate through spray technologyof Magnetron, which confirms that the precursor stoichiometry was 1: 1. at high temperatures (~ 550 ° C), the edges of晶圆被低融合液（合并点约157°C），并与液体密封空间融化在一起，以防止成分蒸发，并在高液体温度下蒸发，少量原子进入固体膜上，形成了固定液体，并散发出较丰富的液体界面。过程促进了高度结晶的纯相晶体膜的形成。均匀厚度，单相结构，优异的玻璃质量的NSE晶圆。坚持认为基于这种策略的坚持矩阵的表现超出了所知的薄膜的所有电子。其中包括接近极高的移动性（平均287cm²/v s）和玻尔兹曼限制（平均下降至平均67 mv/dec）的子集。此外，10 nm运河INSEP设备超过了3纳米Intel，主要性能指标，例如操作电压，门长，DIBL，有效质量，开关比和环境温度弹道速度。设备的延迟时间（延迟）和能耗延迟（EDP）超过IRDS 2037路线图中硅技术的预测限制。这项成就通过关键瓶颈破裂，以制备在二维晶片上的投入，并为具有高性能和低能消耗的新一代晶体管技术提供了坚实的材料基础。在t预计未来的集成电子系统将基于这样的两个维晶圆，在人工智能，自主驾驶和智能终端等前卫领域中的关键作用，这使它们成为了对后计算机后的计算机架构▲图2的重要支持。北京大学的Qin Biao和Jiang Jianfeng博士是合伙人。 Liu Kaihui教授，研究人员Qiu Chenguang，Jiang Jianfeng博士和中国人民大学的相关教授Can是合作沟通工作。 。其他重要的合作者包括北京大学和学术学术王Inge，苏州研究所的Dinh Feng教授以及苏州大学的Wang Lu教授。 Nanodegshan的创新，物理和化学中心。原始文本链接附加的房屋：https：//www.science.org/doi/10.1126/science.adu3803